HUF75652G3 Prezos (USD) [12224unidades de stock]
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- 10 pcs$3.01042
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- 500 pcs$1.99892
- 1,000 pcs$1.68584
- Número de peza:
- HUF75652G3
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
- Ventaxa competitiva:
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HUF75652G3 Atributos do produto
Número de peza :
HUF75652G3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
Serie :
UltraFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
75A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
475nC @ 20V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7585pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
515W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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