Microsemi Corporation - APTM50H10FT3G

KEY Part #: K6522572

APTM50H10FT3G Prezos (USD) [1414unidades de stock]

  • 1 pcs$30.78489
  • 100 pcs$30.63173

Número de peza:
APTM50H10FT3G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Finalidade especial and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTM50H10FT3G electronic components. APTM50H10FT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM50H10FT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM50H10FT3G Atributos do produto

Número de peza : APTM50H10FT3G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 96nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4367pF @ 25V
Potencia: máx : 312W
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : SP3
Paquete de dispositivos de provedores : SP3