Número de peza :
APTM50H10FT3G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
96nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4367pF @ 25V
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SP3