DMN30H4D0LFDE-7 Prezos (USD) [432148unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMN30H4D0LFDE-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: TRIAC and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN30H4D0LFDE-7 Atributos do produto
Número de peza :
DMN30H4D0LFDE-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
300V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
550mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
7.6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
187.3pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
630mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
U-DFN2020-6 (Type E)
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad
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