Número de peza :
SSM3J35MFV,L3F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 50mA, 4V
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
12.2pF @ 3V
Disipación de potencia (máx.) :
150mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
VESM
Paquete / Estuche :
SOT-723