Vishay Siliconix - SIHB22N60ET1-GE3

KEY Part #: K6417789

SIHB22N60ET1-GE3 Prezos (USD) [41749unidades de stock]

  • 1 pcs$0.93654

Número de peza:
SIHB22N60ET1-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 21A TO263.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Zener - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB22N60ET1-GE3 electronic components. SIHB22N60ET1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB22N60ET1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB22N60ET1-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIHB22N60ET1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Serie : E
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1920pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 227W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263 (D²Pak)
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tamén pode estar interesado