TK12E80W,S1X Prezos (USD) [28338unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK12E80W,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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TK12E80W,S1X Atributos do produto
Número de peza :
TK12E80W,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
11.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 570µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1400pF @ 300V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
165W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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- STD37P3H6AG
- IRFH8330TRPBF