IRFBA90N20DPBF Prezos (USD) [12988unidades de stock]
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- 10 pcs$2.74204
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- 500 pcs$1.88901
- 1,000 pcs$1.64526
- Número de peza:
- IRFBA90N20DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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IRFBA90N20DPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRFBA90N20DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
98A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 59A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6080pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
650W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
SUPER-220™ (TO-273AA)
Paquete / Estuche :
Super-220™-3 (Straight Leads)
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