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- Número de peza:
- SI4845DY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unión programable, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Tiristores: TRIAC and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4845DY-T1-E3 electronic components. SI4845DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4845DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4845DY-T1-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SI4845DY-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 2.7A 8-SOIC
Serie :
LITTLE FOOT®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.5nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
312pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
1.75W (Ta), 2.75W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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