IRF7311TRPBF Prezos (USD) [183995unidades de stock]
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- 4,000 pcs$0.17176
- Número de peza:
- IRF7311TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7311TRPBF electronic components. IRF7311TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7311TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7311TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7311TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
27nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
900pF @ 15V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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