IGC50T120T8RQX1SA1 Prezos (USD) [8666unidades de stock]
- 1 pcs$4.75515
- Número de peza:
- IGC50T120T8RQX1SA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 50A DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IGC50T120T8RQX1SA1 Atributos do produto
Número de peza :
IGC50T120T8RQX1SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT 1200V 50A DIE
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
-
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
150A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.42V @ 15V, 50A
Potencia: máx :
-
Enerxía de conmutación :
-
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
-
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
-
Condición da proba :
-
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
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