RFN3BM2SFHTL Prezos (USD) [194187unidades de stock]
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- 2,500 pcs$0.16079
- 5,000 pcs$0.15275
- 12,500 pcs$0.14701
- Número de peza:
- RFN3BM2SFHTL
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 3A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V Vrm 3A Io Recovery Diode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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RFN3BM2SFHTL Atributos do produto
Número de peza :
RFN3BM2SFHTL
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
980mV @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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