EPC2019 Prezos (USD) [53015unidades de stock]
- 1 pcs$0.81534
- 1,000 pcs$0.81128
- Número de peza:
- EPC2019
- Fabricante:
- EPC
- Descrición detallada:
- GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - RF ...
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EPC2019 Atributos do produto
Número de peza :
EPC2019
Fabricante :
EPC
Descrición :
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
GaNFET (Gallium Nitride)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
Vgs (máximo) :
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
270pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Die
Paquete / Estuche :
Die
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