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- Número de peza:
- BSP135L6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSP135L6327HTSA1 electronic components. BSP135L6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP135L6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSP135L6327HTSA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSP135L6327HTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
120mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 94µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
4.9nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
146pF @ 25V
Función FET :
Depletion Mode
Disipación de potencia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT223-4
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA
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