SUD35N10-26P-T4GE3 Prezos (USD) [84051unidades de stock]
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- Número de peza:
- SUD35N10-26P-T4GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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SUD35N10-26P-T4GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SUD35N10-26P-T4GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
35A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2000pF @ 12V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252, (D-Pak)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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