Nexperia USA Inc. - BAS19,235

KEY Part #: K6458687

BAS19,235 Prezos (USD) [4517943unidades de stock]

  • 1 pcs$0.00819
  • 10,000 pcs$0.00764

Número de peza:
BAS19,235
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-11
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Nexperia USA Inc. BAS19,235 electronic components. BAS19,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS19,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS19,235 Atributos do produto

Número de peza : BAS19,235
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 200mA (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 200mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores : TO-236AB
Temperatura de funcionamento: unión : 150°C (Max)

Tamén pode estar interesado
  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode

  • BAL99E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode