Número de peza :
FDFS2P102A
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
182pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
900mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SOIC
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)