Vishay Siliconix - SIHB12N50E-GE3

KEY Part #: K6393367

SIHB12N50E-GE3 Prezos (USD) [35558unidades de stock]

  • 1 pcs$1.09960
  • 10 pcs$0.99173
  • 100 pcs$0.79681
  • 500 pcs$0.61973
  • 1,000 pcs$0.51349

Número de peza:
SIHB12N50E-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC and Diodos - Zener - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB12N50E-GE3 electronic components. SIHB12N50E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB12N50E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB12N50E-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIHB12N50E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 500V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 10.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 886pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 114W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : D²PAK (TO-263)
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB