SIA907EDJT-T1-GE3 Prezos (USD) [431769unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIA907EDJT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 electronic components. SIA907EDJT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA907EDJT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA907EDJT-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIA907EDJT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Potencia: máx :
7.8W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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