FDB060AN08A0 Prezos (USD) [47280unidades de stock]
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- 800 pcs$0.79334
- Número de peza:
- FDB060AN08A0
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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FDB060AN08A0 Atributos do produto
Número de peza :
FDB060AN08A0
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
75V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
16A (Ta), 80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
95nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5150pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
255W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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