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- Número de peza:
- IRLH6224TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLH6224TR2PBF electronic components. IRLH6224TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLH6224TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLH6224TR2PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRLH6224TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
28A (Ta), 105A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3710pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.6W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-PQFN (5x6)
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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