Número de peza :
IRFM120ATF
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
480pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
2.4W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-223-4
Paquete / Estuche :
TO-261-4, TO-261AA