NVTFS5C673NLTAG Prezos (USD) [262663unidades de stock]
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- Número de peza:
- NVTFS5C673NLTAG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 13A 50A 8WDFN.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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NVTFS5C673NLTAG Atributos do produto
Número de peza :
NVTFS5C673NLTAG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 13A 50A 8WDFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
13A (Ta), 50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
9.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
880pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerWDFN
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