IXFA3N120 Prezos (USD) [17085unidades de stock]
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- Número de peza:
- IXFA3N120
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
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IXFA3N120 Atributos do produto
Número de peza :
IXFA3N120
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1050pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
200W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263 (IXFA)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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