Número de peza :
HS3BB M4G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
80pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AA (SMB)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C