Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1600V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.2V @ 1A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 1600V
Capacitancia @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-213AB, MELF (Glass)
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-213AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C