RQ3E180BNTB Prezos (USD) [478859unidades de stock]
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- Número de peza:
- RQ3E180BNTB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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RQ3E180BNTB Atributos do produto
Número de peza :
RQ3E180BNTB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
39A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.9 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
37nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3500pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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