IXYS - IXFT12N90Q

KEY Part #: K6409909

IXFT12N90Q Prezos (USD) [7220unidades de stock]

  • 1 pcs$6.30916
  • 30 pcs$6.27777

Número de peza:
IXFT12N90Q
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 900V 12A TO-268.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores: SCRs, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF and Módulos de controlador de enerxía ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT12N90Q Atributos do produto

Número de peza : IXFT12N90Q
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 900V 12A TO-268
Serie : HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 900V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2900pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-268
Paquete / Estuche : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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