IRF7749L2TRPBF Prezos (USD) [32464unidades de stock]
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- 4,000 pcs$1.09797
- Número de peza:
- IRF7749L2TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF7749L2TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7749L2TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
33A (Ta), 375A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 mOhm @ 120A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
12320pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET L8
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric L8
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