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- Número de peza:
- IRF6668TR1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - RF, Tiristores: TRIAC, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF6668TR1 Atributos do produto
Número de peza :
IRF6668TR1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
55A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1320pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Estuche :
DirectFET™ Isometric MZ
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