ON Semiconductor - FCP099N60E

KEY Part #: K6417657

FCP099N60E Prezos (USD) [37871unidades de stock]

  • 1 pcs$1.65378
  • 800 pcs$1.64555

Número de peza:
FCP099N60E
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V TO220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FCP099N60E electronic components. FCP099N60E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP099N60E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP099N60E Atributos do produto

Número de peza : FCP099N60E
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : MOSFET N-CH 600V TO220
Serie : SuperFET® II
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 37A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3465pF @ 380V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 357W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220-3
Paquete / Estuche : TO-220-3

Tamén pode estar interesado