NVC3S5A51PLZT1G Prezos (USD) [371572unidades de stock]
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- Número de peza:
- NVC3S5A51PLZT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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NVC3S5A51PLZT1G Atributos do produto
Número de peza :
NVC3S5A51PLZT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
262pF @ 20V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.2W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
3-CPH
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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