RBR1LAM30ATR Prezos (USD) [842155unidades de stock]
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- 6,000 pcs$0.04538
- 15,000 pcs$0.04245
- 30,000 pcs$0.03894
- Número de peza:
- RBR1LAM30ATR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vr 1A Io Schottky Br Diode
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
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RBR1LAM30ATR Atributos do produto
Número de peza :
RBR1LAM30ATR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDTM
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
30V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
480mV @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
50µA @ 30V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOD-128
Paquete de dispositivos de provedores :
PMDTM
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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- ES3GHE3/57T
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