IXFA130N10T2 Prezos (USD) [30787unidades de stock]
- 1 pcs$1.34832
- 150 pcs$1.34161
- Número de peza:
- IXFA130N10T2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Unión programable, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFA130N10T2 Atributos do produto
Número de peza :
IXFA130N10T2
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
Serie :
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
130A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.1 mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6600pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263 (IXFA)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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