BSO612CVGHUMA1 Prezos (USD) [210131unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSO612CVGHUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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BSO612CVGHUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSO612CVGHUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
340pF @ 25V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-DSO-8
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