Diodes Incorporated - DMN2005DLP4K-7

KEY Part #: K6524997

DMN2005DLP4K-7 Prezos (USD) [580156unidades de stock]

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Número de peza:
DMN2005DLP4K-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrición detallada:
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: SCRs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2005DLP4K-7 Atributos do produto

Número de peza : DMN2005DLP4K-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrición : MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : -
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
Potencia: máx : 400mW
Temperatura de operación : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 6-XFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivos de provedores : X2-DFN1310-6 (Type B)

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