Número de peza :
APT18M100B
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
18A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
150nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4845pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
625W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
Paquete / Estuche :
TO-247-3