VS-2EGH01-M3/5BT Prezos (USD) [569175unidades de stock]
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- Número de peza:
- VS-2EGH01-M3/5BT
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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VS-2EGH01-M3/5BT Atributos do produto
Número de peza :
VS-2EGH01-M3/5BT
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
Serie :
FRED Pt®
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
2A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 2A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
23ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
2µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AA, SMB
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AA (SMBJ)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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