SSM6J215FE(TE85L,F Prezos (USD) [603363unidades de stock]
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- Número de peza:
- SSM6J215FE(TE85L,F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET P CH 20V 3.4A ES6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Tiristores: SCRs ...
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SSM6J215FE(TE85L,F Atributos do produto
Número de peza :
SSM6J215FE(TE85L,F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Serie :
U-MOSVI
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
630pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
ES6
Paquete / Estuche :
SOT-563, SOT-666
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