Microsemi Corporation - APTGT200H120G

KEY Part #: K6533143

APTGT200H120G Prezos (USD) [549unidades de stock]

  • 1 pcs$84.57337
  • 100 pcs$81.41536

Número de peza:
APTGT200H120G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrición detallada:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200H120G Atributos do produto

Número de peza : APTGT200H120G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrición : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : Trench Field Stop
Configuración : Full Bridge Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 280A
Potencia: máx : 890W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 350µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : SP6
Paquete de dispositivos de provedores : SP6

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