Vishay Siliconix - SI7440DP-T1-GE3

KEY Part #: K6406003

[1469unidades de stock]


    Número de peza:
    SI7440DP-T1-GE3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Zener - Single ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7440DP-T1-GE3 Atributos do produto

    Número de peza : SI7440DP-T1-GE3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 12A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 21A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : -
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 1.9W (Ta)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® SO-8
    Paquete / Estuche : PowerPAK® SO-8