SIZ904DT-T1-GE3 Prezos (USD) [168713unidades de stock]
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- Número de peza:
- SIZ904DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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SIZ904DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número de peza :
SIZ904DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A, 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
435pF @ 15V
Potencia: máx :
20W, 33W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
6-PowerPair™
Paquete de dispositivos de provedores :
6-PowerPair™
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