ISL9R18120S3ST Prezos (USD) [59260unidades de stock]
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- Número de peza:
- ISL9R18120S3ST
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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ISL9R18120S3ST Atributos do produto
Número de peza :
ISL9R18120S3ST
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO263-2
Serie :
Stealth™
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
18A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
3.3V @ 18A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
300ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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