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- Número de peza:
- ISL9R460S3ST
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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ISL9R460S3ST Atributos do produto
Número de peza :
ISL9R460S3ST
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB
Serie :
Stealth™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
2.4V @ 4A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
22ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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