Número de peza :
SIA414DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
8V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
32nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1800pF @ 4V
Disipación de potencia (máx.) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquete / Estuche :
PowerPAK® SC-70-6