Vishay Siliconix - SIHU7N60E-GE3

KEY Part #: K6419349

SIHU7N60E-GE3 Prezos (USD) [106739unidades de stock]

  • 1 pcs$0.34825
  • 3,000 pcs$0.34652

Número de peza:
SIHU7N60E-GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SIHU7N60E-GE3 electronic components. SIHU7N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU7N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU7N60E-GE3 Atributos do produto

Número de peza : SIHU7N60E-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 680pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 78W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : I-PAK
Paquete / Estuche : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Tamén pode estar interesado