SUM90N10-8M2P-E3 Prezos (USD) [43045unidades de stock]
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- Número de peza:
- SUM90N10-8M2P-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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SUM90N10-8M2P-E3 Atributos do produto
Número de peza :
SUM90N10-8M2P-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
Serie :
TrenchFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
90A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
150nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
6290pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-263 (D2Pak)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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