Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K310T(TE85L,F)

KEY Part #: K6403822

SSM3K310T(TE85L,F) Prezos (USD) [2225unidades de stock]

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Número de peza:
SSM3K310T(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3K310T(TE85L,F) Atributos do produto

Número de peza : SSM3K310T(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 4A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 14.8nC @ 4V
Vgs (máximo) : ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1120pF @ 10V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operación : 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TSM
Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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