Toshiba Semiconductor and Storage - BAS516,L3F

KEY Part #: K6458642

BAS516,L3F Prezos (USD) [3388457unidades de stock]

  • 1 pcs$0.01092

Número de peza:
BAS516,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 100V .35pF .25A
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Tiristores: SCRs, Diodos - RF, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS516,L3F Atributos do produto

Número de peza : BAS516,L3F
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 250mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 150mA
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 3ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 200nA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SC-79, SOD-523
Paquete de dispositivos de provedores : ESC
Temperatura de funcionamento: unión : 150°C (Max)

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