IXFH6N100F Prezos (USD) [10590unidades de stock]
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- 10 pcs$4.41758
- 100 pcs$3.63216
- 500 pcs$3.04315
- Número de peza:
- IXFH6N100F
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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IXFH6N100F Atributos do produto
Número de peza :
IXFH6N100F
Fabricante :
IXYS-RF
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Serie :
HiPerRF™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
6A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 2.5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1770pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 (IXFH)
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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