Infineon Technologies - IRF2204PBF

KEY Part #: K6403169

IRF2204PBF Prezos (USD) [36248unidades de stock]

  • 1 pcs$0.97835
  • 10 pcs$0.88303
  • 100 pcs$0.70968
  • 500 pcs$0.55196
  • 1,000 pcs$0.45734

Número de peza:
IRF2204PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Infineon Technologies IRF2204PBF electronic components. IRF2204PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF2204PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF2204PBF Atributos do produto

Número de peza : IRF2204PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
Serie : HEXFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 210A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 130A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 5890pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 330W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220AB
Paquete / Estuche : TO-220-3